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基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测
引用本文:张明宇,王琦,于洋.基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测[J].电子学报,2022,50(3):643-651.
作者姓名:张明宇  王琦  于洋
作者单位:沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳110870,沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳110870;辽宁工业大学,辽宁锦州121001
摘    要:针对MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件故障预测与健康管理问题,提出了一种长短时记忆(Long Short-Term Memory,LSTM)算法与离散隐马尔可夫模型(Discrete Hidden Markov Model,DHMM)相...

关 键 词:故障预测与健康管理  MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor  Field-Effect  Tran  长短时序列  离散隐马尔可夫模型  自回归模型  故障时间

Health Status Identification and Fault Time Prediction of MOSFET Device Based on LSTM-DHMM
ZHANG Ming-yu,WANG Qi,YU Yang.Health Status Identification and Fault Time Prediction of MOSFET Device Based on LSTM-DHMM[J].Acta Electronica Sinica,2022,50(3):643-651.
Authors:ZHANG Ming-yu  WANG Qi  YU Yang
Abstract:
Keywords:
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