| 基于3D仿真的LDMOS-SCR器件优化 |
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| 引用本文： | 王鑫,梁海莲,顾晓峰,马艺珂,刘湖云.基于3D仿真的LDMOS-SCR器件优化[J].微电子学,2018,48(5):695-698, 704. |
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| 作者姓名： | 王鑫 梁海莲 顾晓峰 马艺珂 刘湖云 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122,江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504049),江苏省自然科学基金资助项目(BK20150156)；中国博士后科学基金资助项目(2016M600361)；江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX17_1487) |
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| 摘 要： | 为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR(Dut3)。在ESD应力作用下,器件开启后的3D TCAD仿真结果表明,相比于Dut1,Dut2和Dut3的电流密度更小,Dut2和Dut3的导通电阻更大。传输线脉冲的测试结果表明,器件的维持电压分别从2.74 V增至8.41 V和16.20 V,Dut2、Dut3的品质因数较Dut1分别增大了1.96倍、3.52倍。该3D TCAD仿真及版图改进方法可为高压IC的ESD防护设计提供有益参考。
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| 关 键 词： | 静电放电 可控硅 LDMOS 维持电压 3D TCAD |
| 收稿时间： | 2017/11/17 0:00:00 |
Optimization of LDMOS-SCR Device Based on 3D Simulation |
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| WANG Xin,LIANG Hailian,GU Xiaofeng,MA Yike and LIU Huyun.Optimization of LDMOS-SCR Device Based on 3D Simulation[J].Microelectronics,2018,48(5):695-698, 704. |
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| Authors: | WANG Xin LIANG Hailian GU Xiaofeng MA Yike and LIU Huyun |
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| Institution: | Engineering Research Center of IoT Technology Applications of Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122,P. R. China,Engineering Research Center of IoT Technology Applications of Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122,P. R. China,Engineering Research Center of IoT Technology Applications of Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122,P. R. China,Engineering Research Center of IoT Technology Applications of Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122,P. R. China and Engineering Research Center of IoT Technology Applications of Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122,P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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