大面积a-MoO_3的制备及其存储计算研究进展

近年来, a-MoO_3在忆阻器件的研究中得到广泛关注,其中氧含量的变化导致电阻率的改变,以及独特的层状结构有利于各种离子的插层从而调节电导,因此其在离子栅结构的突触晶体管的研究中发挥出重要作用.本文主要对层状a-MoO_3的基本性质、二维层状a-MoO_3的大面积制备方法和特性及其在存储计算领域的应用进展进行了分析.首先阐述了a-MoO_3的晶体结构、能带结构以及缺陷态.对比了大面积a-MoO_3的制备方法,包括一步法直接得到a-MoO_3纳米片,以及通过磁控溅射和原子层沉积方法结合后退火工艺实现a-MoO_3薄膜的制备.详细讨论了不同合成方法制得的a-MoO_3在存储计算应用中的优势.对比a-MoO_3在阻变存储中的器件性能,总结a-MoO_3基神经突触器件性能及其应用进展.最后,结合a-MoO_3近期研究进展展望了其在存储计算领域的机会与挑战.