| CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究 |
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| 作者姓名： | 冯秋菊 蒋俊岩 唐凯 吕佳音 刘洋 李荣 郭慧颖 徐坤 宋哲 李梦轲 |
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| 作者单位： | 辽宁师范大学物理与电子技术学院, 大连 116029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 10804040, 11004020, 11004092)、辽宁省博士科研启动基金 (批准号: 20081081, 20101061)、大连市自然科学基金 (批准号: 2010J21DW020)和中科院 空间激光通信及检验技术重点实验室开放基金(批准号: KJJG10-1)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用简单的化学气相沉积方法, 首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜, 并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管．对制备的Sb掺杂ZnO薄膜 在800 ℃下进行了热退火处理, 发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高, 并且薄膜呈现的电导类型为p型, 载流子浓度为9.56× 1017 cm-3. 此外, 该器件还表现出良好的整流特性, 正向开启电压为4.0 V, 反向击穿电压为9.5 V. 在正向45 mA的注入电流条件下, 器件实现了室温下的电致发光. 这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现, 这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.
关键词：
CVD
p-ZnO
异质结
电致发光
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| 关 键 词： | CVD p-ZnO 异质结 电致发光 |
| 收稿时间： | 2012-10-11 |
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