| β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 潘洪哲,徐明,祝文军,周海平. β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 物理学报, 2006, 55(7) |
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| 作者姓名： | 潘洪哲 徐明 祝文军 周海平 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅资助项目;四川师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.
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| 关 键 词： | β相氮化硅 电子结构 能带结构 光学性质 |
First-principles study on the electrical structures and optical properties of β-Si3N4 |
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| Pan Hong-Zhe,Xu Ming,Zhu Wen-Jun,Zhou Hai-Ping. First-principles study on the electrical structures and optical properties of β-Si3N4[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(7) |
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| Authors: | Pan Hong-Zhe Xu Ming Zhu Wen-Jun Zhou Hai-Ping |
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