| 单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量 |
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| 引用本文： | 高尚鹏,袁俊,罗俊,朱静.单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量[J].电子显微学报,2002,21(5):625-626. |
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| 作者姓名： | 高尚鹏 袁俊 罗俊 朱静 |
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| 作者单位： | 清华大学电子显微镜实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为…
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| 关 键 词： | 单根硅纳米线 等离子激光发 色散关系 测量 电子能量损失谱 电子态 |
Measurement of plasmon dispersion relation in a single Si nanowire |
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