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| 侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错的同步辐射表征 | |
| 引用本文： | 陈俊,王建峰,张纪才,王辉,黄勇,王玉田,杨辉,贾全杰.侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错的同步辐射表征[J].中国物理 C,2005,29(Z1):37-39. |
| 作者姓名： | 陈俊 王建峰 张纪才 王辉 黄勇 王玉田 杨辉 贾全杰 |
| 作者单位： | 1 中国科学院半导体研究所 北京 100083;2 中国科学院高能物理研究所 北京 100049 |
| 摘 要： | 本文采用低温光致发光谱研究了蓝宝石(0001)衬底上MOCVD侧向外延生长的六方相GaN中的堆垛层错, 并使用同步辐射XRD方法研究了该堆垛层错以及立方相和六方相GaN的相对取向. |
| 关 键 词： | GaN 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 侧向外延 堆垛层错 同步辐射X射线衍射(XRD) 极图 |
| 收稿时间： | 2005-10-28 |
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