| 密度泛函理论研究Nb_2Ge_n(n=1～4)团簇 |
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| 作者姓名： | 侯茹 郭平 赵润宁 韩聚广 |
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| 作者单位： | 陕西省商洛学院物理与电子信息工程系,西北大学,上海电机学院,中国科技大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/Lan L2DZ水平上对Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇进行了系统的理论研究,得到Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇的最低能结构的几何构型和电子性质.优化结果表明:Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇最低能结构的自旋多重度均为单重态.团簇最低能结构的电子态与团簇的大小有关.当n为奇数时,团簇的电子态为~1A~1,n为偶数时电子态为1A.通过对计算平均束缚能和分裂能发现:Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇中热力学稳定性最强的是Nb_2Ge_2团簇;最弱的是Nb_2Ge_4团簇.自然电荷分布的结果说明Nb_2Ge_n(n=1~4)团簇中当n=1-2时,电子转移正常,而当n=3-4时出现电荷反转现象.同时还研究了HOMOLUMO能隙、磁性和红外光谱.
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| 关 键 词： | 密度泛函理论；Nb2Gen(n=1～4 )团簇；几何构型；电子性质；磁性；红外光谱 |
| 收稿时间： | 2017-04-16 |
| 修稿时间： | 2017-06-06 |
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