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| γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究 | |
| 引用本文： | 钟玉杰,周玉红,雷仁方,汪朝敏,李睿智,王小强.γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究[J].半导体光电,2010,31(6). |
| 作者姓名： | 钟玉杰 周玉红 雷仁方 汪朝敏 李睿智 王小强 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
| 摘 要： | 通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度. |
| 关 键 词： | CCD 辐照 界面态 缺陷 |
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