Ⅰ层厚度对限幅器热损伤效应的影响 |
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作者姓名: | 张永战 孟凡宝 赵刚 |
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作者单位: | 1.中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621 900; |
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摘 要: | 基于器件物理模拟分析法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN二极管二维多物理场仿真模型,研究了在5.3,7.5,9.4 GHz的微波脉冲作用下,不同Ⅰ层厚度的二极管模型的峰值温度变化。仿真结果表明:Ⅰ层厚度对PIN二极管微波脉冲热效应的影响分两个阶段,拐点前厚度增加,峰值温度提高,拐点后厚度增加峰值温度降低;一定范围内微波脉冲频率的变化对拐点影响不明显。
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关 键 词: | Ⅰ层厚度 PIN限幅器 器件仿真 热损伤 微波脉冲 |
收稿时间: | 2017-03-15 |
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