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Ⅰ层厚度对限幅器热损伤效应的影响
引用本文:张永战,孟凡宝,赵刚.Ⅰ层厚度对限幅器热损伤效应的影响[J].强激光与粒子束,2017,29(9):093002.
作者姓名:张永战  孟凡宝  赵刚
作者单位:1.中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621 900;
摘    要:基于器件物理模拟分析法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN二极管二维多物理场仿真模型,研究了在5.3,7.5,9.4 GHz的微波脉冲作用下,不同Ⅰ层厚度的二极管模型的峰值温度变化。仿真结果表明:Ⅰ层厚度对PIN二极管微波脉冲热效应的影响分两个阶段,拐点前厚度增加,峰值温度提高,拐点后厚度增加峰值温度降低;一定范围内微波脉冲频率的变化对拐点影响不明显。

关 键 词:Ⅰ层厚度    PIN限幅器    器件仿真    热损伤    微波脉冲
收稿时间:2017-03-15
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