LPCVD反应管干式清洗法

随着半导体器件工艺技术的发展,人们日益广泛地采用LPCVD法生长作为介质或表面钝化用的氮化硅和作为MOS器件栅电极用的多晶硅。 在氮化硅、多品硅生长的同时,这些物质也会生长到反应管内壁上(这是人们所不希望产生的)。随着生长炉数的增多,附在反应管内壁的薄膜也相应加厚。当累积厚度超过10微米时,由于薄膜与石英之间膨胀系数有差异,而产生龟裂现象(石英管内壁龟裂,直观的来看是腐蚀掉氮化硅或多晶硅后内壁发毛)。在严重情况下会产生掉皮现象,影响片子质量及机械泵的使用寿命。