| 一种基于四甲基氢氧化铵溶液蒸汽的新型硅刻蚀方法 |
| |
| 引用本文： | 何 剑,赵越芳,徐方良,赵东阳,侯晓娟,丑修建. 一种基于四甲基氢氧化铵溶液蒸汽的新型硅刻蚀方法[J]. 化学物理学报, 2020, 33(6): 769-774 |
| |
| 作者姓名： | 何 剑 赵越芳 徐方良 赵东阳 侯晓娟 丑修建 |
| |
| 作者单位： | 中北大学，仪器科学与动态测试技术教育部重点实验室，太原 030051;中北大学，仪器科学与动态测试技术教育部重点实验室，太原 030051；南京微纳工程研究中心，南京 210000;北京计算机应用技术研究所，北京 100089 |
| |
| 基金项目： | The work was supported by the National Natu-ral Science Foundation of China (No.51675493 and No.51975542), the National Key R&D Program of China (No.2018YFF0300605, No.2019YFF0301802, and No.2019YFB2004802), Program for the Outstand-ing Innovative Teams of Higher Learning Institutions of Shanxi and Shanxi “1331 Project” Key Subject Con-struction (1331KSC). |
| |
| 摘 要： | 在微机电技术中，利用刻蚀方法对硅进行体结构加工是一步重要的工艺程序. 本文提出了一种基于四甲基氢氧化铵的新型刻蚀方法，四甲基氢氧化铵刻蚀溶液被加热到沸点，单晶硅片置于刻蚀液面的上方，通过刻蚀溶液的蒸汽实现对硅片的各向异性气相刻蚀，此方法并不依赖于昂贵的传统干法刻蚀真空设备. 相比于传统湿法刻蚀，本文提出的刻蚀方法具有若干优点，例如低粗糙度、高刻蚀速率和高均匀性，刻蚀速率和表面粗糙度分别可达到2.13 μm/min和1.02 nm. 同时，在背腔刻蚀工艺中，在硅片非刻蚀面上的隔膜结构和Al基图形可被完好无损地保存下来. 最后，本文提出了一种可能的刻蚀机理说明观察到的实验现象. 与传统湿法刻蚀不同，在本文的气相刻蚀中，由于刻蚀溶液的蒸发过程，刻蚀表面将形成一层薄的水汽层，四甲基氢氧化铵刻蚀剂的离化和刻蚀反应均在这一层中进行，这有助于H2气泡的快速脱附，以及反应界面分子交换速率的提升.
|
| 关 键 词： | 硅刻蚀，工业化微机电，四甲基氢氧化铵溶液，各向异性刻蚀 |
| 收稿时间： | 2020-07-04 |
A Novel Silicon Etching Method Using Vapor of Tetramethylammonium Hydroxide Solution |
| |
| Jian He,Yue-fang Zhao,Fang-liang Xu,Dong-yang Zhao,Xiao-juan Hou,Xiu-jian Chou. A Novel Silicon Etching Method Using Vapor of Tetramethylammonium Hydroxide Solution[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2020, 33(6): 769-774 |
| |
| Authors: | Jian He Yue-fang Zhao Fang-liang Xu Dong-yang Zhao Xiao-juan Hou Xiu-jian Chou |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Silicon bulk etching Micro-electro-mechanical system Tetramethylammo-nium hydroxide solution Anisotropic etching |
|
| 点击此处可从《化学物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《化学物理学报》下载全文 |
