| 化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制 |
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| 引用本文： | 赵有文,董志远,魏学成,李晋闽.化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制[J].半导体学报,2007,28(Z1):300-305. |
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| 作者姓名： | 赵有文 董志远 魏学成 李晋闽 |
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| 作者单位： | 赵有文（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;董志远（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;魏学成（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;李晋闽（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 摘 要： | 借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.
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| 关 键 词： | ZnO 化学气相传输 生长模式 二维成核 化学配比 气相传输 大尺寸 单晶生长 模式控制 Chemical Vapor Transport Single Crystal Growth Large Size Control Mode 晶体质量 晶向 均匀 厚度 二维成核 关系 生长温度 分析 研究 晶体表面形貌 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0300-06 |
| 修稿时间： | 2006年1月30日 |
Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport |
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| Zhao Youwen,Dong Zhiyuan,Wei Xuecheng,Li Jinmin.Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):300-305. |
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| Authors: | Zhao Youwen Dong Zhiyuan Wei Xuecheng Li Jinmin |
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