| 实际晶体的生长机制 |
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| 引用本文： | 闵乃本. 实际晶体的生长机制[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1573-1587 |
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| 作者姓名： | 闵乃本 |
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| 作者单位： | 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210008 |
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| 摘 要： | 实际晶体中的缺陷在生长过程中将减小乃至完全消除表面二维成核的势垒,成为永不消失的台阶源,对晶体生长动力学有重要影响.本文将总结本实验室在该领域中所完成的系统研究,从晶体缺陷所引起的结构变化和缺陷在表面露头处的原子组态出发,系统地讨论晶体生长的位错机制、层错机制、孪晶机制以及重入角生长和粗糙面生长的协同机制.
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| 关 键 词： | 位错 层错 孪晶 二维成核 亚台阶 粗糙面 平滑面 重入射角, |
Growth Mechanisms in Real Crystals |
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| MIN Nai-ben. Growth Mechanisms in Real Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2019, 48(9): 1573-1587 |
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| Authors: | MIN Nai-ben |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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