| 反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能 |
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| 引用本文： | 祝柏林,李昆鹏,谢挺,吴隽.反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能[J].人工晶体学报,2019,48(3):443-449. |
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| 作者姓名： | 祝柏林 李昆鹏 谢挺 吴隽 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081 |
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| 基金项目： | 材料成型与模具技术国家重点实验室开放基金(P2014-06) |
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| 摘 要： | 不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/ZnO混合物(Al@Zn/ZnO)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降.薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势.当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子.当Ts从150℃ 增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高.另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定.与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大.
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| 关 键 词： | 复合靶材 反应溅射 AZO薄膜 透明导电性 禁带宽度 品质因子 |
Structure and Transparent Conductive Properties of AZO Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering |
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| ZHU Bai-lin,LI Kun-peng,XIE Ting,WU Jun.Structure and Transparent Conductive Properties of AZO Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(3):443-449. |
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| Authors: | ZHU Bai-lin LI Kun-peng XIE Ting WU Jun |
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