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MN41256型256k DRAM
引用本文:
小岛诚,竹中信之,孙伯祥.MN41256型256k DRAM[J].微电子学,1985(Z1).
作者姓名:
小岛诚
竹中信之
孙伯祥
作者单位:
松下电子工业,松下电子工业
摘 要:
半导体存贮器集成度的提高是惊人的,随着每位单价的下降,市场对集成度提高的要求愈来愈强烈。作为1981年开始大量生产的64k位动态RAM(64kDRAM)的下一代产品的256kDRAM现已达到
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