| 基于倒扣技术的190~225 GHz肖特基二极管高效率二倍频器 |
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| 引用本文： | 姚常飞,周明,罗运生,寇亚男,李姣. 基于倒扣技术的190~225 GHz肖特基二极管高效率二倍频器[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(1): 6-9 |
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| 作者姓名： | 姚常飞 周明 罗运生 寇亚男 李姣 |
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| 作者单位： | 1. 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京210016
2. 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京,210016 |
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| 摘 要： | 基于分立式GaAs肖特基势垒二极管,研制出了190～225 GHz高效率二倍频器.50 μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6％,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190～225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5％;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平.
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| 关 键 词： | GaAs肖特基二极管 二倍频器 太赫兹 效率 |
| 收稿时间： | 2013-08-07 |
| 修稿时间： | 2013-09-28 |
A 190~225GHz high efficiency Schottky diode doubler with circuit substrate flip-chip mounted |
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| YAO Chang-Fei,ZHOU Ming,LUO Yun-Sheng,KOU Ya-Nan and LI Jiao. A 190~225GHz high efficiency Schottky diode doubler with circuit substrate flip-chip mounted[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(1): 6-9 |
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| Authors: | YAO Chang-Fei ZHOU Ming LUO Yun-Sheng KOU Ya-Nan LI Jiao |
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| Affiliation: | Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Jiangsu,Department of Microwave and Millimeter Wave Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Jiangsu,Department of Microwave and Millimeter Wave Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Jiangsu,Department of Microwave and Millimeter Wave Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Jiangsu,Department of Microwave and Millimeter Wave Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Jiangsu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs Schottky diode frequency doubler terahertz efficiency |
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