| 硅基GaN外延层的光致发光谱 |
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| 引用本文： | 张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉.硅基GaN外延层的光致发光谱[J].半导体光电,1999,20(2):5. |
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| 作者姓名： | 张昊翔 叶志镇 卢焕明 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ｇａ Ｎ 外延层，并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ｇａ Ｎ 外延层的发光特性产生影响。 Ｓｉ（１１１） 衬底比 Ｓｉ（１００） 衬底更有利于 Ｇａ Ｎ 外延层的单色发光。退火使 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度降低。在１ ０５０ ℃下生长的 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ｇａ Ｎ 外延层的发光强度
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| 关 键 词： | 半导体材料 氮化镓 光致发光 外延层 |
Photoluminescene spectra of GaN epilayer grown on Si substrate |
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| ZHANG Haoxiang,YE Zhizhen,LU Huanming,ZHAO Binghui.Photoluminescene spectra of GaN epilayer grown on Si substrate[J].Semiconductor Optoelectronics,1999,20(2):5. |
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| Authors: | ZHANG Haoxiang YE Zhizhen LU Huanming ZHAO Binghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semicondrctor materials Gallium Nitride Photoluminescence Epitaxial Layer |
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