| 运用Nd:YAG激光器的InGaAsP超晶格激光诱导无序 |
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| 引用本文： | 黄晓东,何健,刘雪峰,黄德修. 运用Nd:YAG激光器的InGaAsP超晶格激光诱导无序[J]. 武汉大学学报(理学版), 1999, 0(5) |
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| 作者姓名： | 黄晓东 何健 刘雪峰 黄德修 |
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| 作者单位： | 华中理工大学光电子工程系!武汉430074 |
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| 摘 要： | 对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件下，有最大可达１５５ ｍ ｅＶ 的ＰＬ峰值蓝移，表明禁带宽度有明显增大．运用１．０６４ μｍ 连续输出的Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行光子吸收诱导无序（ＰＡＩＤ）技术的研究，比较量子阱材料被辐照前后荧光谱的峰值位置和谱宽，发现量子阱结构的禁带宽度在激光辐照后有明显增大，证明有量子阱混合现象产生．衬底预加热结果表明，提高衬底温度可减少ＰＡＩＤ中的激光辐照时间和平均功率密度．
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| 关 键 词： | 量子阱混合 光子吸收诱导无序 光荧光谱 |
InGaAsP Superlattice Disordering Using Nd:YAG Laser |
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| HUANG Xiao|dong,HE Jian,LIU Xue|feng,HUANG De|xiu. InGaAsP Superlattice Disordering Using Nd:YAG Laser[J]. JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition, 1999, 0(5) |
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| Authors: | HUANG Xiao|dong HE Jian LIU Xue|feng HUANG De|xiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum wells intermixing photoabsorption induced disordering photoluminscence |
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