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795 nm大功率外腔半导体激光器的研究
引用本文:张薇,仲莉,张德帅,吴霞,倪羽茜,刘素平,马骁宇.795 nm大功率外腔半导体激光器的研究[J].光学学报,2023(10):189-194.
作者姓名:张薇  仲莉  张德帅  吴霞  倪羽茜  刘素平  马骁宇
作者单位:1. 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院
摘    要:采用超极化惰性气体的磁共振成像技术可大大提高肺部影像成像质量,其中自旋交换光泵作为超极化惰性气体的关键,通常是对碱金属铷进行泵浦,为获得较好的泵浦效率,要求泵浦源具有窄光谱宽度和高功率的特点。针对这一需求,提出以体布拉格光栅(VBG)作为外腔反馈元件的795 nm窄谱宽外腔半导体激光器设计,并对VBG的外腔锁模稳定性进行了分析讨论,最终实现了功率为6.36 W,谱宽低至0.036 nm的795.245 nm单管外腔激光输出,为实现大功率的单管外腔半导体激光器奠定基础。

关 键 词:激光器  外腔半导体激光器  体布拉格光栅  窄谱宽  锁模
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