基于Pt/GaN/AlGaN异质结高响应度双波段紫外探测器

提出一种在AlGaN基PIN器件的p-GaN表面上沉积Pt，形成肖特基势垒(SB)-PIN异质结器件，器件的能带和载流子的输运发生了变化，这种新型光电探测器实现了双波段紫外探测，可分别工作在光伏和光电导模式下。器件在275 nm波长的紫外光照射的负偏置电压下，工作模式为光伏探测，当入射光功率密度为100μW/cm²，偏置电压为-10 V时，器件得到最大响应度(0.12 A/W)；当偏置电压为-0.5 V时，器件得到最大探测率(1.0×10¹³ cm·Hz^1/2·W^-1)。器件在正偏置电压工作模式下可作为高响应、高增益的光电导探测器，当偏置电压为+10 V时，用275 nm和365 nm波长的紫外光照射(光功率密度为100μW/cm²)，器件的响应度分别为10 A/W和14 A/W，外量子效率分别为4500%和4890%。所设计的双波段多功能器件将极大地扩展基于AlGaN的紫外探测器的用途。