| 气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究 |
| |
| 引用本文： | 刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,林兰英.气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J].半导体学报,1998,19(5):389-393. |
| |
| 作者姓名： | 刘学锋 刘金平 李建平 孙殿照 孔梅影 林兰英 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心 |
| |
| 摘 要： | 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法研究了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的低温（≤５００℃）生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗．在恒定的乙硅烷流量（４ｓｃｍ）Ｇｅ源炉温度（１２００℃）下，合金中的Ｇｅ组分ｘ随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度（５００℃）和乙硅烷流量（４ｓｃｍ）保持恒定时，合金中的Ｇｅ组分ｘ最初随Ｇｅ源炉温度的升高而增大，当Ｇｅ源炉温度升高到一定值以上时，ｘ值不再随Ｇｅ源炉温度的升高而增大，而趋向于饱和在０．４５附近．基于乙硅烷及Ｈ原子在Ｓｉ原子和Ｇｅ原子表面上不同的吸附和脱附过程
|
| 关 键 词： | GSMBE 硅化锗 外延生长 低温生长 动力学 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
