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| AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性 | |
| 引用本文： | 王启明,庄婉如.AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性[J].半导体学报,1980,1(1):46-53. |
| 作者姓名： | 王启明 庄婉如 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电研究室 (王启明)，中国科学院半导体研究所光电研究室(庄婉如) |
| 摘 要： | 研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4％的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”,结合近场观测和发射光谱的研究,判定这是由于激光器有源区中Al含量(即x值)的不均匀分布所致. |
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