| 二次电子显微镜的自动缺陷分类(SEM ADC)新应用-新产品设计转移 |
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| 引用本文： | 林龙辉,郭峰铭,周进顺,叶茂森,林廷树,纽瑞芮可,费尔达顿.二次电子显微镜的自动缺陷分类(SEM ADC)新应用-新产品设计转移[J].电子工业专用设备,2004,33(11):23-28. |
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| 作者姓名： | 林龙辉 郭峰铭 周进顺 叶茂森 林廷树 纽瑞芮可 费尔达顿 |
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| 作者单位： | 力晶半导体公司,台湾,新竹市科学工业圆园区力行一路12号;台湾应用材料公司,台湾,新竹市科学工业圆园区研发二路三十二号;以色列应用材料公司,以色列,瑞合佛市澳本黑墨街九号 |
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| 摘 要： | 随着集成电路工业的快速成长,需在短时间内,引进愈小组件设计且导入量产的时间,愈来愈短.为了新产品能尽早导入量产,产品的缺陷的再检查(review)与分类是必要的,以期提供快速缺陷原因分析,改善良率与生产。在传统的做法中,建立新产品的二次电子显微镜的自动缺陷再检查?自动缺陷分类(SEMADR?ADC)最佳化程序,需时至少1个月,以收集足够的二次电子影像数据库,但是,这已经无法符合集成电路工业产品快速转换的需求,提出一种省时间的(模块程序概念)。这概念使不同产品的相似组成?结构层(layer),不需要额外的二次电子显微镜的自动缺陷再检查?自动缺陷分类(SEMADR?ADC)程序建立时间,利用此方法,台湾力晶半导体φ300mm晶圆厂利用0.15μm的缺陷数据库,成功地在2小时内建立新的0.13μm产品线上二次电子显微镜的自动缺陷再检查?自动缺陷分类(SEMADR?ADC)程序,加速缺陷原因分析与良率提升.
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| 关 键 词： | 二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类 良率提升 缺陷原因分析 |
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