| CeO2掺杂对NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄新友,魏敏先,陈志刚,高春华,崔永臻. CeO2掺杂对NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(6): 1489-1492 |
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| 作者姓名： | 黄新友 魏敏先 陈志刚 高春华 崔永臻 |
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| 作者单位： | 江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013 |
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| 摘 要： | 采用固相法,利用XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了CeO2掺杂对0.85(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.144(K0.5Bi0.5)TiO3-0.006BaTiO3(NBT-KBT-BT)无铅压电陶瓷结构和性能的影响.研究结果表明:所有组成的陶瓷的物相均为单一钙钛矿型结构相,CeO2的掺杂只改变晶胞体积或产生铋离子空位或钠离子空位,不形成异相.CeO2掺杂使晶粒尺寸趋于平均,形状由四方状向粒状转变,对晶粒生长有抑制作用.随着CeO2掺杂量增加,压电陶瓷的压电应变常数d33先增大然后降低、介电常数ε先增大然后降低,介质损耗tanδ一直降低.当CeO2的掺杂量为0.1 ;质量分数时,NBT-KBT-BT 无铅压电陶瓷的综合性能最佳,其性能为:d33=156 pC/N、tan δ=3.8;、ε=1364.
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| 关 键 词： | 无铅压电陶瓷 掺杂 性能 CeO2, |
Influence of CeO2 Doping on Properties of NBT-KBT-BT Lead-free Piezoelectric Ceramics |
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| HUANG Xin-you,WEI Min-xian,CHEN Zhi-gang,GAO Chun-hua,CUI Yong-zhen. Influence of CeO2 Doping on Properties of NBT-KBT-BT Lead-free Piezoelectric Ceramics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(6): 1489-1492 |
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| Authors: | HUANG Xin-you WEI Min-xian CHEN Zhi-gang GAO Chun-hua CUI Yong-zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CeO2 |
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