| 多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制 |
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| 引用本文： | 董会宁,潘飞噪.多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制[J].四川师范大学学报(自然科学版),1995,18(6):91-95. |
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| 作者姓名： | 董会宁 潘飞噪 |
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| 作者单位： | 四川师范大学固体研究所，四川联合大学物理系 |
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| 摘 要： | 以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。
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| 关 键 词： | 多晶硅 光位敏探测器 半导体 退火 |
THE PRODUCTION OF Poly-Si ONE DIMENSION PHOTO POSITION SENSITIVE DETECTORS BY THE MIS STRUCTURE |
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| Dong Huining,Yan Qili,Chen Weidong.THE PRODUCTION OF Poly-Si ONE DIMENSION PHOTO POSITION SENSITIVE DETECTORS BY THE MIS STRUCTURE[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),1995,18(6):91-95. |
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| Authors: | Dong Huining Yan Qili Chen Weidong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rapid thermal annealing poly-Si photo position sensitive detectors |
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