| Nafion修饰金膜玻碳电极溶出伏安法测定痕量Se（Ⅳ）的研究 |
| |
| 引用本文： | 汪振辉 张宏忠. Nafion修饰金膜玻碳电极溶出伏安法测定痕量Se（Ⅳ）的研究[J]. 理化检验(化学分册), 1997, 33(11): 494-497 |
| |
| 作者姓名： | 汪振辉 张宏忠 |
| |
| 作者单位： | 河南师范大学化学系，河南师范大学化学系，河南师范大学化学系 新乡 453002，新乡 453002，新乡 453002 |
| |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金资助课题 |
| |
| 摘 要： | 提出了Ｎａｆｉｏｎ修饰膜玻碳电极测定痕量硒的新方法。在０．１ｍｏｌ．Ｌ＾－１硫酸和０．０１．Ｌ＾－１硝酸钠的介质中，Ｓｅ（Ⅳ）浓度在５．０＊１０＾－１０－２．５＊１０＾－８ｍｏｌ．Ｌ＾－１范围与二次导数峰电流呈良好线性关系，测定下限为５．０＊１０＾－１０ｍｏｌ．Ｌ＾－１。
|
| 关 键 词： | 硒 修饰电极 溶出伏安法 Nafion 金膜玻碳电极 |
STUDY ON THE DETERMINATION OF TRACE SELENIUM BY STRIPPING VOLTAMMETRY WITH NAFION MODIFIED GOLD FILM GLASSY CARBON ELECTRODE |
| |
| Wang Zhenhui,Zhang Hongzhong and Zhou Shouping. STUDY ON THE DETERMINATION OF TRACE SELENIUM BY STRIPPING VOLTAMMETRY WITH NAFION MODIFIED GOLD FILM GLASSY CARBON ELECTRODE[J]. Physical Testing and Chemical Analysis Part B:Chemical Analgsis, 1997, 33(11): 494-497 |
| |
| Authors: | Wang Zhenhui Zhang Hongzhong Zhou Shouping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Selenium Modified electrode Anodic stripping voltammetry |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
