| 智能剥离——有竞争力的SOI制备新技术 |
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| 引用本文： | 张苗,竺士炀.智能剥离——有竞争力的SOI制备新技术[J].物理,1997,26(3):155-159. |
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| 作者姓名： | 张苗 竺士炀 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术，近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术－智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术，它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量与价格的矛盾带来了新的希望，将会有力地堆动ＳＯＩ技术的进一步发展，文章简要回顾了目前存在的几种ＳＯＩ制备技术，并结合我们的工作重点介绍了智能剥离这种有竞争力的ＳＯＩ制备新技术。
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| 关 键 词： | 智能剥离 SOI 硅集成电路 |
Smart Cut:A Novel Silicon on Insulator Fabrication Technology |
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| Zhang Miao,Zhu Shiyang,Lin Chenglu.Smart Cut:A Novel Silicon on Insulator Fabrication Technology[J].Physics,1997,26(3):155-159. |
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| Authors: | Zhang Miao Zhu Shiyang Lin Chenglu |
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| Abstract: | Silicon on Insulator(SOI) technology is considered as the future of microelectronics. Smart cut technology is a novel fabrication method which can produce SOI materials of high quality at low expense. In this paper the main types of SOI technology are described, with reference to our own work. The smart cut method is discussed in detail. |
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| Keywords: | smart cut SOL |
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