| 利用STM进行纳米加工过程中的阈值现象研究 |
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| 引用本文： | 王琛,自春礼.利用STM进行纳米加工过程中的阈值现象研究[J].物理,1997,26(9):513-514. |
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| 作者姓名： | 王琛 自春礼 |
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| 作者单位： | 中国科学院化学研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,中国科学院“九五”重大项目 |
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| 摘 要： | 我们发现利用ＳＴＭ在石墨表面制备的纳米结构的特征与隧道结静态电阻有较为明确的关联性，很可能分别对应于隧道结在高场强下的场电子发射现象和电击穿现象，此外，纳米结构的几何特征与材料表面局域的电子输运特性亦有密切联系。
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| 关 键 词： | 纳米结构 场发射电子 电击穿现象 STM 阈值 |
Knowledge and Progress Protein Electron Crystallography * |
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| Li Fanghua,Liu Wei,Li Zongli.Knowledge and Progress Protein Electron Crystallography *[J].Physics,1997,26(9):513-514. |
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| Authors: | Li Fanghua Liu Wei Li Zongli |
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| Abstract: | Some basic concepts of protein electron crystallography and the principle of three dimensional reconstruction in electron microscopy are reviewed.The techniques for two dimensional protein crystal growth,sample preparation,data collection,and data processing are briefly described.The state of the art of protein electron crystallography is illustrated through some examples and the prospects are outlined. |
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| Keywords: | protein electron crystallography two dimensional crystal growth electron microscopy three dimensional reconstruction |
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