| 双掺杂TGS晶体——LUTGS |
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| 引用本文： | 史伟,王民,孙洵,房昌水.双掺杂TGS晶体——LUTGS[J].人工晶体学报,1998,27(4):326-329. |
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| 作者姓名： | 史伟 王民 孙洵 房昌水 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 摘 要： | 分别在58～54℃和45～38℃温区生长了完整的LUTGS单晶.揭示了两种晶体的生长习性.通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量,发现两温区生长的LUTGS单晶的热释电材料优值M(P/ε)无大差异,但都比纯TGS有显著提高.
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| 关 键 词： | LUTGS晶体 内偏压电场 材料优值 热释电晶体 |
Double Doped TGS Single Crystal-LUTGS |
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| Shi Wei,Wang Min,Sun Xun,Fang Changshui.Double Doped TGS Single Crystal-LUTGS[J].Journal of Synthetic Crystals,1998,27(4):326-329. |
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| Authors: | Shi Wei Wang Min Sun Xun Fang Changshui |
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