首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     


Breakdown of rotational symmetry at semiconductor interfaces: a microscopic description of valence subband mixing
Authors:S. Cortez  O. Krebs  P. Voisin
Affiliation:Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, école Normale Supérieure, 24 rue Lhomond, 75231, Paris Cedex 05, France
Abstract:
Keywords:
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号