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Recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide semiconductor static random access memory cells
Authors:Qin Jun-Rui  Chen Shu-Ming  Liang Bin  Liu Bi-Wei
Affiliation:College of Computer, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China
Abstract:
Keywords:single event upset   multi-node charge collection   static random access memory   angulardependence
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