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分类号
杂志ISSN号
Recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide semiconductor static random access memory cells
Authors:
Qin Jun-Rui
Chen Shu-Ming
Liang Bin
Liu Bi-Wei
Affiliation:
College of Computer, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China
Abstract:
Keywords:
single event upset
multi-node charge collection
static random access memory
angulardependence
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