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| GdBa2Cu3O7超导薄膜在晶格失配的MgO衬底上的生长 | |
| 作者姓名： | 易怀仁 石磊 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室，中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室，中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室，中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室，中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室 国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，国家超导实验室，北京，100080，合肥，230026，合肥，230026，合肥，230026，合肥，230026，合肥，230026 |
| 摘 要： | 我们采用直流磁控溅射快速原位处理的方法,在(100)MgO 衬底上制备了一系列的GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜样品.我们发现,在800℃左右的衬底温度下制备的超导薄膜样品,为纯 C 轴垂直膜面生长的外延膜,(005)峰摇摆曲线的半高峰宽△ψ为0.4°—0.5°,但其零电阻转变温度 T_(co)只有84—85K,转变宽度ΔT_c 为1.5—2K.而在670℃左右衬底温度下制备的超导薄膜,有的为纯 c 轴垂直膜面生长的外延膜,有的为 c 轴垂直膜面取向为主,含少量(110)取向和 a 取向,(005)峰摇摆曲线的半高峰宽Δψ为0.6°—0.9°,但其零电阻转变温度 T_(co)达89—91K,转变宽度ΔT_c 为0.6—1K. |
| 关 键 词： | 超导薄膜 衬底 晶格失配 溅射 |
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