| Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 |
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| 引用本文： | 王华,黄竹,许积文,杨玲.Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响[J].人工晶体学报,2010,39(5). |
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| 作者姓名： | 王华 黄竹 许积文 杨玲 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林,541004 |
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| 摘 要： | 以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。
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| 关 键 词： | 紫外透明导电薄膜 Mg掺杂 光电性能 |
Effects of Mg Doping Content and Annealing Temperature on Structure and Properties of MgxZn1-xO:Al UV-transparent Conducting Thin Films |
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| WANG Hua,HUANG Zhu,XU Ji-wen,YANG Ling.Effects of Mg Doping Content and Annealing Temperature on Structure and Properties of MgxZn1-xO:Al UV-transparent Conducting Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(5). |
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| Authors: | WANG Hua HUANG Zhu XU Ji-wen YANG Ling |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgxZn1-xO:Al |
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