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| 钙钛矿型电解质材料NdGa1-xMgxO3-δ的制备与电学性能 | |
| 引用本文： | 张迎春,贺天民.钙钛矿型电解质材料NdGa1-xMgxO3-δ的制备与电学性能[J].物理实验,2009,29(8). |
| 作者姓名： | 张迎春 贺天民 |
| 作者单位： | 吉林大学,物理学院,吉林,长春,130021 |
| 基金项目： | 吉林大学本科生研究机会计划资助项目 |
| 摘 要： | 用甘氨酸-硝酸盐法制备出钙钛矿结构的电解质材料NdGa1-xMgxO3-δ. 研究表明,Mg掺杂NdGaO3氧化物在室温下均为立方钙钛矿结构. B位掺杂Mg2+极大地提高了NdGaO3的电导率,比纯NdGaO3的电导率提高了3个数量级. 1 400 ℃下烧结20 h的样品NdGa0.914Mg0.086O2.957呈现出最好的烧结性能,相对密度达到了99.4%,800 ℃时的电导率达到了2.99×10-2 S·cm-1,高于同温度下YSZ电解质的电导率. 表明NdGa0.914Mg0.086O2.957氧化物是一种具有潜在应用价值的中温电解质材料. |
| 关 键 词： | 掺杂镓酸钕 固体电解质 钙钛矿结构 电导率 |
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