高压下六方TaSi_2晶体基于结构稳定性的电学输运性质（英文）

作为一类稳定的低电阻及高温材料,二硅化钽(TaSi_2)被广泛应用于集成电路中。因此,其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi_2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi_2晶体在压力高达20GPa时稳定的结晶学结构,并通过原位高压电阻测量发现,当压力增加到16.3GPa时,TaSi_2的电阻率趋于稳定在2μΩ·cm左右;进一步理论计算了压力下TaSi_2的电子结构,以进一步理解其金属性行为。