低温热氧化法制备Bi_2O_3薄膜及其热氧化机理研究

通过直流磁控溅射法在Si基片表面沉积Bi薄膜,然后置于氧气中加热。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌的影响。X-射线衍射(XRD)结果表明,Bi薄膜可在200~270℃氧化形成Bi_2O_3薄膜。不同温度、不同氧化时间,样品的质量变化表明,磁控溅射沉积的Bi金属薄膜热氧化形成Bi_2O_3薄膜,遵循Mott-Cebrera热氧化机理。