| InSb中自旋反转受激喇曼散射效应 |
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| 引用本文： | 王学忠,陈辰嘉,刘继周,刘彩霞,曹树石,史守旭,朱印康.InSb中自旋反转受激喇曼散射效应[J].激光与红外,1980(12). |
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| 作者姓名： | 王学忠 陈辰嘉 刘继周 刘彩霞 曹树石 史守旭 朱印康 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系固体能谱室，北京大学物理系固体能谱室，北京大学物理系固体能谱室，北京大学物理系固体能谱室，北京大学物理系固体能谱室，北京大学物理系固体能谱室，北京大学物理系固体能谱室 |
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| 摘 要： | InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在～7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量～0.5焦耳,脉冲宽度～200毫微秒,前沿～50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度～1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超
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