| 稀土铒离子注入多孔硅的发光 |
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| 引用本文： | 李仪,周咏东,李菊生,蒋红,金亿鑫.稀土铒离子注入多孔硅的发光[J].发光学报,1996(1). |
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| 作者姓名： | 李仪 周咏东 李菊生 蒋红 金亿鑫 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,中国科学院基金 |
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| 摘 要： | 稀土离子Ｅｒ注入多孔硅中．在３５０ｋｅＶ能量，１×１０（１２）～１×１０（１５）／ｃｍ２剂量范围内，注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射．退火后，在近红外区测到１．５４μｍ附近Ｅｒ（３＋）的特征发射．其发射强度比硅单晶对照样品明显增强，实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层．电化学制备过程中在表面层中带入的Ｏ、Ｃ、Ｆ等多种杂质可能是Ｅｒ（３＋）发光增强的原因．
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| 关 键 词： | 多孔硅，发光，离子注入，铒 |
LUMINESCENCE OF RARE EARTH Er ION IMPLANTED POROUS SILICON |
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| Li Yi,Zhou Yongdong ,Li Jusheng, Jiang Hong, Jin Yixin.LUMINESCENCE OF RARE EARTH Er ION IMPLANTED POROUS SILICON[J].Chinese Journal of Luminescence,1996(1). |
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| Authors: | Li Yi Zhou Yongdong Li Jusheng Jiang Hong Jin Yixin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon erbium luminescence ion implantation |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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