| 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的25Gb/s宽带可变增益放大器 |
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| 引用本文： | 曹庆珊,郑吴家锐,李硕,何进.基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的25Gb/s宽带可变增益放大器[J].半导体光电,2021,42(6):799-802, 808. |
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| 作者姓名： | 曹庆珊 郑吴家锐 李硕 何进 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61774113,61874079,62074116,81971702).通信作者:何进 |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA).该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏置电路组成,核心电路采用改进型Gilbert结构,增大了电路的增益动态范围;同时采用电感峰化技术克服大寄生电容来实现宽带特性.后仿真结果表明,该可变增益放大器的最大增益为20.15 dB,-3 dB带宽(BW)为26.8 GHz,可支持高达25 Gb/s的数据速率,在3.3 V电源电压下的功耗为26.4 mW,芯片大小为1 120 μm×1 167 μm.
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| 关 键 词： | 可变增益放大器 BiCMOS 改进型Gilbert结构 电感峰化 高速通信 |
| 收稿时间： | 2021/7/29 0:00:00 |
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