| 氧分压对磁控溅射β-Ga2O3薄膜结构及光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 董斌,何晨光,王长安,李祈昕,李叶林,刘宁炀,赵维,陈志涛.氧分压对磁控溅射β-Ga2O3薄膜结构及光学特性的影响[J].半导体光电,2021,42(6):849-853. |
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| 作者姓名： | 董斌 何晨光 王长安 李祈昕 李叶林 刘宁炀 赵维 陈志涛 |
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| 作者单位： | 广东省科学院半导体研究所,广州510650 |
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| 基金项目： | 广东省科学院“千名博士(后)计划”引进专项项目(2020GDASYL-03117)；中国博士后科学基金项目(2021M690748).通信作者:刘宁炀 |
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| 摘 要： | 通过磁控溅射沉积以及高温热退火处理,在5.08 cm(2 inch)c-plane蓝宝石异质衬底上制备出单晶β-Ga2O3薄膜,研究了溅射气氛中氧分压对β-Ga2O3薄膜的晶体结构以及光学特性的影响.通过调控氧分压,获得了具有{-2 01}晶面族X射线衍射峰的β-Ga2O3薄膜,其最大晶粒尺寸达到138 nm,在300～800 nm波段透射率大于80％,最大光学带隙达5.12 eV.最优的薄膜表面粗糙度达0.401 nm,800 nm波长处折射率为1.94.实验结果表明,降低氧分压有利于溅射粒子动能增大、数量增多,从而提升β-Ga2O3薄膜结晶质量、增加薄膜透射率和光学带隙;适当提高氧分压则有利于改善薄膜表面平整度,并提高致密度.
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| 关 键 词： | β-Ga2O3 磁控溅射 晶体结构 光学特性 |
| 收稿时间： | 2021/10/22 0:00:00 |
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