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| GexSi1—x／Si和Ge／Si应变层超晶格 | |
| 引用本文： | 陈可明,张翔九.GexSi1—x／Si和Ge／Si应变层超晶格[J].物理,1989,18(1):21-26. |
| 作者姓名： | 陈可明 张翔九 |
| 作者单位： | 复旦大学表面物理实验室 (陈可明，张翔九)，复旦大学表面物理实验室(王迅) |
| 摘 要： | ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ和Ｇｅ／Ｓｉ应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型．本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题，列举了它在器件应用方面的例子．给出了共度生长时超晶格的临界厚度值，超晶格中ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层能隙随成分的变化，以及界面处的能带失配值等．最后介绍了由Ｇｅ，Ｓｉ原子层有序排列而组成的新晶体． |
| 关 键 词： | 应变层超晶格 GexSi1－x／Si Ge／Si |
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