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| 利用Keating模型计算Si（1-x）Gex及非晶硅的拉曼频移 | |
| 作者姓名： | 段宝兴 杨银堂 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金（批准号： 60725415）资助的课题. |
| 摘 要： | 利用Keating模型计算了Si（1-x）Gex合金中Si—Si，Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移，计算分别获得Ge浓度为01，05和09时，Si—Ge的振动拉曼频移分别为40275，41339和38815 cm-1，这些结果与文献的实验结果符合，证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的，并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Kea关键词：Keating模型拉曼光谱（1-x）Gex')" href="#">Si（1-x）Gex非晶硅 |
| 关 键 词： | Keating模型 拉曼光谱 Si（1-x）Gex 非晶硅 |
| 收稿时间： | 2008-11-19 |
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