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| 分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料 | |
| 作者姓名： | 徐梁 陈云良 沈玉华 王海龙 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光机所 上海 201800 |
| 摘 要： | 我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10~(14)/cm~3量级,迁移率为250cm~2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 超晶格 半导体掺杂 |
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