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| 双吸除技术对提高LSI硅单晶性能的作用 | |
| 作者姓名： | 周士仁 叶以正 陈德源 王志加 邵全法 杨家德 胡世忠 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学，骊山微电子公司，电子工业部44所 |
| 摘 要： | 通过离子探针分析,少子寿命监测和对诱生缺陷形成情况的观察分析证明,经过双吸除技术处理的晶片,在经受了器件制造工艺条件下的多次高温处理后,含杂量和二次缺陷密度普遍低于常规片,而少子寿命则高于未经处理的单晶片1个数量级以上.IC制作的初步实验结果证明,双吸除技术是可起到改善LSI所用硅单晶性能的良好作用的. |
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