| 用于非制冷红外探测器片上存储器的低延迟灵敏放大器设计北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 陈力颖,高竹梅,赵军发,王慧雯,张博超,李勇.用于非制冷红外探测器片上存储器的低延迟灵敏放大器设计北大核心CSCD[J].光电子．激光,2022(6):585-590. |
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| 作者姓名： | 陈力颖 高竹梅 赵军发 王慧雯 张博超 李勇 |
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| 作者单位： | 天津工业大学 电子与信息工程学院，天津 300387 ;天津市光电检测技术与系统重点实验室，天津 300387,天津工业大学 电子与信息工程学院，天津 300387 ;天津市光电检测技术与系统重点实验室，天津 300387,天津工业大学 电子与信息工程学院，天津 300387 ;天津市光电检测技术与系统重点实验室，天津 300387,天津工业大学 电子与信息工程学院，天津 300387 ;天津市光电检测技术与系统重点实验室，天津 300387,天津工业大学 电子与信息工程学院，天津 300387 ;天津市光电检测技术与系统重点实验室，天津 300387,台州国晶智芯科技有限公司，浙江 台州 318014 |
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| 基金项目： | 天津市科技计划项目(18ZXCLGX0090)和天津市自然科学基金(18JCYBJC85400)资助项目 |
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| 摘 要： | 针对非制冷红外探测器片上存储器的高速数据读出,设计了一种用于非制冷红外探测器片上存储器的低延迟灵敏放大器。随着非制冷红外探测器像素阵列的不断加大,对非制冷红外探测器片上存储器的要求也更高,需要一个更高速的存储器进行红外探测器内部数据存储。通过降低灵敏放大器延迟时间是提高数据传输速度的一种可靠方法。本文对传统交叉耦合结构灵敏放大器进行改进,与传统交叉耦合结构灵敏放大器相比,增加了完全互补型的第二级交叉放大电路,并采用NMOS组成的中间阶段进行两级运放的耦合。改进后的新型灵敏放大器能快速有效地放大位线上电压差,同时改善灵敏度低的问题。本论文设计的灵敏放大器采用TSMC 65 nm工艺,在工作电压为5 V、位线电压差为100 mV条件下,仿真结果表明:数据读出延迟仅为25.19 ps,与交叉耦合式灵敏放大器相比,读出延迟降低了37.07%。同时,在全工艺角仿真条件下,环境温度为-45—125℃,新型灵敏放大器延迟仿真最大值仅为39 ps,最小值为17.1 ps。
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| 关 键 词： | 红外探测器 灵敏放大器 交叉耦合 电压模型 |
| 收稿时间： | 2021/9/2 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/9/30 0:00:00 |
Design of a low delay sensitive amplifier for the on-chip memory of an uncooled infrared detector |
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| CHEN Liying,GAO Zhumei,ZHAO Junf,W ANG Huiwen,ZHANG Bochao and LI Yong.Design of a low delay sensitive amplifier for the on-chip memory of an uncooled infrared detector[J].Journal of Optoelectronics·laser,2022(6):585-590. |
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| Authors: | CHEN Liying GAO Zhumei ZHAO Junf W ANG Huiwen ZHANG Bochao and LI Yong |
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| Institution: | School of Electronics and Information Engineering,TianGong University,Tianjin 300387,China;Tianjin Key Laboratory of Photoelectric Detection Technology an d System,Tianjin 300387,China,School of Electronics and Information Engineering,TianGong University,Tianjin 300387,China;Tianjin Key Laboratory of Photoelectric Detection Technology an d System,Tianjin 300387,China,School of Electronics and Information Engineering,TianGong University,Tianjin 300387,China;Tianjin Key Laboratory of Photoelectric Detection Technology an d System,Tianjin 300387,China,School of Electronics and Information Engineering,TianGong University,Tianjin 300387,China;Tianjin Key Laboratory of Photoelectric Detection Technology an d System,Tianjin 300387,China,School of Electronics and Information Engineering,TianGong University,Tianjin 300387,China;Tianjin Key Laboratory of Photoelectric Detection Technology an d System,Tianjin 300387,China and Taizhou National Crytal Technology Co.,Ltd,Taiz hou,Zhejiang 318014,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | infrared detector sensitive amplifier cross coupling voltage model |
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