沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响 |
| |
引用本文: | 黑鸿君,于盛旺,刘艳青,李义锋,唐伟忠.沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响[J].人工晶体学报,2012(Z1):264-269. |
| |
作者姓名: | 黑鸿君 于盛旺 刘艳青 李义锋 唐伟忠 |
| |
作者单位: | 北京科技大学材料科学与工程学院;太原理工大学表面工程研究所 |
| |
摘 要: | 采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳球和呈花瓣状的疏松结构。在合适的沉积温度下,SiC薄膜的致密性和平整度较好,且其具有较好的附着力和一定的强度,而这样的SiC薄膜可以阻止在金刚石涂层沉积过程中硬质合金中含有的Co对金刚石相沉积过程的有害作用。
|
关 键 词: | 强电流直流伸展电弧等离子体CVD SiC薄膜 沉积温度 表面形貌 附着力 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|