NMC4164型三层多晶硅工艺64K动态RAMD

由于国家半导体公司的NMC4164型64K位RAM将PDP(多晶硅-介质-多晶硅)电容器应用于存储单元,所以不仅方式与以往不同且可以改善集成度和各种特性。因为在构造方面是用与各个读出放大器相对应的二组位线进行多路传输,所以与各位线相对应的存储单元数减半。同时每根位线的长度变短,增加了读出放大器的有效信号电压。由于采用这种工艺,所得芯片尺寸是3.2～7.9mm。