| 无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长 |
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| 引用本文： | 赵永梅,孙国胜,宁瑾,刘兴昉,赵万顺,王雷,李晋闽.无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长[J].半导体学报,2008,29(7):1254-1257. |
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| 作者姓名： | 赵永梅 孙国胜 宁瑾 刘兴昉 赵万顺 王雷 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083；传感器国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;传感器国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1～10μm不同间隔,沟槽之间距离为1～10μm不同间隔.对于在不同的沟槽和台面尺寸区域3C-SiC的生长进行了详细研究.采用扫描电镜分别观察了不同区域的生长形貌,分析了图形衬底结构上SiC的生长行为.其中合并生长形成的空气隙结构可以释放由Si和SiC晶格失配引起的应力,从而可以用来解决SiC生长中的晶片翘曲问题,进行厚膜生长.XRD结果表明此无掩模硅图形衬底上得到3C-SiC(111)取向生长.
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| 关 键 词： | 3C-SiC LPCVD 图形衬底 3C-SiC LPCVD patterned substrates |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1254-04 |
| 修稿时间： | 2007年12月11 |
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates |
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| Zhao Yongmei,Sun Guosheng,Ning Jin,Liu Xingfang,Zhao Wanshun,Wang Lei and Li Jinmin.Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7):1254-1257. |
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| Authors: | Zhao Yongmei Sun Guosheng Ning Jin Liu Xingfang Zhao Wanshun Wang Lei and Li Jinmin |
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| Keywords: | 3C-SiC LPCVD patterned substrates |
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